80x22x3 میلی‌متر

حداکثر 1,350,000 IOPS

حداکثر 850000 IOPS

نوع رابط : PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0 پشتیبانی از S.M.A.R.T : دارد قابلیت پشتیبانی از TRIM : دارد نوع کنترل کننده (Controller) : Samsung in-house Controller نوع حافظه NAND : V-NAND TLC دمای عملیاتی : 0 - 70 ℃

یک ترابایت

M.2

1.5 میلیون ساعت

6,300 مگابایت بر ثانیه

7,150 مگابایت بر ثانیه

PCI-Express 4.0 x4